新しいエッチングガス PF3の紹介
フッ酸との混合で高アスペクト比を実現 TELが開発した低温処理（-60℃） 次世代半導体プロセスに新たな展開をもたらす新しいエッチングガス、三フッ化リン（PF3）。
東京エレクトロン（TEL）は昨年6月9日、グループ会社の東京エレクトロン宮城が、400層以上の3D-NANDフラッシュメモリデバイスの深さ10ミクロンの超高速エッチングを実現したメモリチャネルホールエッチング技術を開発したと発表した。地球温暖化係数は 84% 削減されます。
これまで-60℃という超低温での誘電体膜エッチングは実用化されていなかったが、この新プロセスにより誘電体膜のエッチング速度が飛躍的に向上し、10ミクロンの二酸化シリコンや10ミクロンの誘電体膜の加工が可能となる。窒化物積層膜を最短約33分で成膜し、従来比2.5倍の高速高アスペクト比（HAR）エッチングを実現し、同時に地球温暖化係数を84％削減する画期的な技術として注目を集めています。
以下の特徴を持っています：
- 低温でのエッチング: クライオエッチングとも呼ばれるこの技術は、相対的に低い温度（マイナス50度Cより低い温度）でエッチングを行います。従来のプラズマエッチングと比べ、加工速度は約4倍高まります。
- 高アスペクト比の実現: シン・エッチングガスPF3は、フッ酸と混合して使用され、高アスペクト比の構造を効率的に形成できます。これにより、メモリーセルの上層から下層を貫く多数の穴「メモリーホール」の形成時間が短縮され、スループット（時間当たりの処理能力）が向上します。
- 地球温暖化係数の低減: シン・エッチングガスPF3は、地球温暖化係数を84％減少させる特性を持ちます。
この技術は、東京エレクトロン様などが研究開発を進めており、次世代の3D-NAND型フラッシュメモリの製造において競争力を高めています.
詳細情報
1.newswitch.jp
2.gasreview.gasreview.co.jp
3.jstage.jst.go.jp
4.gasmos.gasreview.co.jp
