ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの紹介
| ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン(Hexafluoro-1,3-butadiene, C4F6)は地球温暖化係数（GWP）が非常に低く、環境にも優しい効率的なドライエッチングガスです。エッチングレートが早く、選択度や精度も正確で、高アスペクト比のエッチングプロセスに適しています。そして、有機合成においてフッ素系ポリマー等の機能性材料の開発にも用いられます。 |
ヘキサフルオロブタジエン はフッ素化炭化水素化合物で、半導体産業、特にエッチングの分野で多くの用途があります。 半導体エッチングにおけるヘキサフルオロブタジエンの主な用途のいくつかを以下に示します。
- 反応性イオン エッチング (RIE): ヘキサフルオロブタジエンは、プラズマを使用して基板から材料を除去するドライ エッチング プロセスである RIE のフィード ガスとしてよく使用されます。 C4F6 は反応性が高く、毒性が低いため、このプロセスの理想的な候補となります。
- ディープ反応性イオン エッチング (DRIE): DRIE では、C4F6 がパッシベーション ガスとして使用され、エッチングされたフィーチャの側壁がさらにエッチングされるのを防ぎます。 これは、正確な寸法で高アスペクト比の構造を作成するのに役立ちます。
- プラズマ化学蒸着 (PECVD): C4F6 は、プラズマを使用して基板上に材料の薄膜を堆積するプロセスである PECVD の前駆体として使用できます。 PECVD で C4F6 を使用すると、良好なコンフォーマル性を備えた高品質のフッ素化膜を堆積できます。
- チャンバーのクリーニング: C4F6 は、エッチング装置のチャンバーのクリーニングにも使用できます。 反応性が高く、毒性が低いため、効果的で安全な洗浄剤です。
全体として、ヘキサフルオロブタジエンは、半導体産業、特にエッチングの分野で多くの重要な用途を持つ多用途の化合物です。 そのユニークな特性により、多くのエッチングプロセスで重要なコンポーネントとなり、高品質の構造やデバイスの作成に役立ちます。
